前沿纳米存储技术课程学生 张鑫彬

晚上七点，我走进教室，准备上前沿纳米存储技术课程的第三节课，任课老师是信息科学与工程学院院长陈杰智老师。此前常在校网新闻里看到或从辅导员口中听过他的名字，陈老师本人很随和，讲课实在，还很有趣。

这节课先回顾上节课讲的DRAM、SRAM和Flash。讲到DRAM时，陈老师再次在黑板上画了个1T1C的单元结构，即一个晶体管接一个电容。我了解到，DRAM存数据靠电容里的电荷，可电荷会漏，所以必须定时刷新，行业标准是整个阵列每64毫秒就要刷新一遍，由灵敏放大器读出再写回。原来我们每天都在用的内存，是这样一刻不停“抢救”数据的。他中途随机提问，问刷新间隔为什么不能太长，教室里安静了一会儿，有同学翻开手机查资料，也有人小声讨论。他不急着要标准答案，告诉我们可以上网查、可以商量，弄清楚道理比答案重要。

讲完传统存储，话题转到“后摩尔时代”。他说晶体管微缩越来越难，想靠工艺换代换性能已经走不快了，存储领域更是如此，DRAM电容和Flash堆叠层数也快到极限。这时他重点讲起ReRAM，也就是阻变存储器。它的介质是金属氧化物，施加电压后内部会形成或断开一条导电细丝，阻值高低对应0和1。比起DRAM，它断电不丢数据；比起Flash，它写入快、功耗低，还有望做成交叉阵列、三维集成，甚至存算一体，直接在存储阵列里完成计算。陈老师总结，大模型时代数据在存储和计算之间来回搬运的功耗越来越惊人，这正是存算一体被看好的原因。

走出教学楼，青岛的夜风已经有些凉意。想起陈老师早年在日本留学，在知名企业做过多年存储芯片研发，后来回山大任教，如今又站在本科生的讲台上，心里还是挺触动。存储芯片是集成电路里绕不开的一环，也是我们国家正在追赶的地方。后摩尔时代，很多规则正在重写，期待我们这一代人能把握这个机遇。